Инженеры из Мичиганского университета открыли секрет вюртцитовых ферроэлектрических нитридов для революции в хранении данных и электронике

Инженеры из Мичиганского университета открыли секрет вюртцитовых ферроэлектрических нитридов для революции в хранении данных и электронике

Инженеры из Мичиганского университета совершили прорыв в области полупроводниковых технологий, открыв секрет нового типа материалов, которые могут кардинально изменить технологии хранения данных и повысить энергоэффективность электроники. Речь идет о вюртцитовых ферроэлектрических нитридах, способных удерживать противоположные электрические поляризации без разрушения. Эти материалы обладают потенциалом для создания сверхточных датчиков, мощных транзисторов и устройств для преобразования сигналов между электрическими, оптическими и акустическими формами.

Изображение сгенерировано Kandinsky

Долгое время ученые не могли понять, почему эти материалы не распадаются под воздействием противоположных зарядов. Исследование, проведенное под руководством профессоров Зетяна Ми и Эммануила Киупакиса, пролило свет на этот феномен. Оказалось, что при столкновении противоположных поляризаций в кристаллической структуре материала возникают разорванные атомные связи. Эти «оборванные» связи, вопреки ожиданиям, не разрушают материал, а стабилизируют его, действуя как своеобразный атомный клей, обеспечивающий баланс зарядов.

Используя передовую электронную микроскопию и квантовые вычисления, исследователи изучили структуру нитрида скандия и галлия. Они обнаружили, что в точках встречи противоположных поляризаций гексагональная структура материала деформируется, образуя разорванные связи. Эти связи, расположенные ближе, чем обычно, создают проводящий канал, который пропускает в 100 раз больше тока, чем стандартные транзисторы на основе нитрида галлия. При этом проводимость можно регулировать, изменяя электрическое поле.

«Это удивительно простое и изящное решение, — отметил Киупакис. — Разорванные связи, которые обычно считались бы дефектами, здесь обеспечивают стабильность материала благодаря геометрии тетраэдров». Этот механизм, по словам ученых, универсален для всех тетраэдрических ферроэлектриков.

Команда уже работает над созданием мощных транзисторов для высокочастотной электроники, используя возможности этих материалов. Исследование проводилось в нанофабрикационной лаборатории Лурье и центре материаловедения Мичигана, где были созданы и проанализированы образцы.

Подпишитесь на новости в телеграм: https://t.me/itnewsros

Добавить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *