Huawei начинает разработку 3-нанометровых чипов с технологией GAA
По данным ресурса Taiwan Economic Daily, китайская компания Huawei начала разработку 3-нанометровых чипов с использованием технологии GAA (Gate-All-Around). По информации источника, компания планирует запустить производство этих передовых чипов уже в 2026 году.
Технология GAA, которую также использует южнокорейский гигант Samsung, позволяет создавать транзисторы, которые являются более компактными, мощными и энергоэффективными по сравнению с традиционными кремниевыми решениями. Huawei уже завершила лабораторные тесты 3-нанометровых однокристальных систем на основе углеродных нанотрубок, которые сейчас адаптируются под производственные линии SMIC.
Фото: WCCF/Huawei
Углеродные нанотрубки позволяют делать транзисторы меньше, мощнее и с меньшим энергопотреблением, чем традиционные кремниевые. Это означает, что Huawei находится в авангарде технологий разработки чипов, несмотря на западные санкции, которые ограничивают доступ компании к передовым аппаратным решениям, таким как литографы ASML.
Процесс разработки уже был частично обкатан на 5-нанометровом техпроцессе. Для этого Huawei внедрила собственную технологию, используя литограф SMEE SSA800. Для травления применяются 5-нанометровые машины от Zhongwei с атомарной точностью, а также система электронно-лучевого измерения от Beifang Huachuang, которая обеспечивает наноуровневую диагностику дефектов.
Напомним, что на данный момент единственным крупным игроком с готовой технологией 3 нм GAA является Samsung. Таким образом, шаги Huawei в этом направлении могут значительно изменить ландшафт мировой полупроводниковой индустрии.
* Компания Meta (Facebook и Instagram) признана в России экстремистской и запрещена.
Подпишитесь на новости в телеграм: https://t.me/itnewsros