Intel рассказала, чем ангстремный техпроцесс 18A лучше Intel 3
Компания Intel, один из ведущих производителей процессоров, представила информацию о своем новом 18-ангстремном техпроцессе Intel 18A, который, по заверениям компании, значительно превосходит актуальный 3-нм техпроцесс Intel 3. Презентация состоялась в преддверии симпозиума VLSI 2025, и в ней были подробно рассмотрены ключевые преимущества нового техпроцесса.
Одной из главных инноваций Intel 18A является использование транзисторов RibbonFET с архитектурой с круговым расположением затвора (gate-all-around, GAA). Эта технология позволяет значительно улучшить управление током через транзистор, что в свою очередь повышает энергоэффективность и производительность чипов. В отличие от традиционных транзисторов, где затвор расположен только сверху канала, в RibbonFET затвор окружает канал со всех сторон, обеспечивая более равномерное распределение электрического поля и снижая утечки тока.
Еще одной важной особенностью Intel 18A является технология PowerVia (BSPDN), которая предусматривает подачу питания с обратной стороны кремниевой пластины. Это позволяет оптимизировать размещение компонентов на чипе и улучшить теплоотвод, что особенно важно для высокопроизводительных процессоров. Благодаря PowerVia, инженеры Intel смогли снизить плотность тока в критических областях чипа и улучшить его надежность.
Сравнивая Intel 18A с предыдущим поколением Intel 3, можно отметить несколько ключевых улучшений. Во-первых, новый техпроцесс позволяет значительно увеличить плотность транзисторов на единицу площади, что делает возможным создание более компактных и мощных чипов. Во-вторых, энергоэффективность новых транзисторов RibbonFET существенно выше, что особенно важно для мобильных устройств и серверных решений, где экономия энергии играет критическую роль.
Intel также подчеркнула, что переход на 18-ангстремный техпроцесс позволит компании укрепить свои позиции на рынке полупроводников и предложить пользователям более совершенные и надежные решения. В условиях растущей конкуренции на рынке микроэлектроники, инновации, такие как RibbonFET и PowerVia, могут стать решающими факторами успеха.
В заключение, Intel 18A представляет собой значительный шаг вперед в развитии полупроводниковых технологий. Новый техпроцесс не только улучшает производительность и энергоэффективность чипов, но и открывает новые возможности для создания передовых электронных устройств. Симпозиум VLSI 2025 станет отличной платформой для демонстрации этих достижений и обсуждения будущих направлений развития отрасли.
* Компания Meta (Facebook и Instagram) признана в России экстремистской и запрещена.
Подпишитесь на новости в телеграм: https://t.me/itnewsros